MMBT3904WT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 40.0 V
额定电流 200 mA
极性 NPN
耗散功率 150 mW
集电极击穿电压 60.0 V min
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SC-70-3
外形尺寸
长度 2.1 mm
宽度 1.24 mm
高度 0.85 mm
封装 SC-70-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMBT3904WT1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MMBT3904WT1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBT3904WT1 | ON Semiconductor 安森美 | 通用晶体管 General Purpose Transistors | 搜索库存 |
替代型号MMBT3904WT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBT3904WT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-323 NPN 40V 200mA | 当前型号 | 通用晶体管 General Purpose Transistors | 当前型号 |
| 型号： MMBT3904WT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-323 NPN 40V 8.6A 150mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MMBT3904WT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 150 mW, 200 mA, 300 hFE | MMBT3904WT1和MMBT3904WT1G的区别 |
| 型号： PMST3904,115 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | PMST3904 系列 40 V 200 mA 200 mW 表面贴装 NPN 开关 晶体管 - SOT-323 | MMBT3904WT1和PMST3904,115的区别 |
| 型号： PMST3904,135 品牌： 恩智浦 封装： SC-70 NPN | 功能相似 | SC-70 NPN 40V 0.2A | MMBT3904WT1和PMST3904,135的区别 |