MMBTA56WT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -500 mA
极性 PNP
耗散功率 150 mW
增益频宽积 50 MHz
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SC-70-3
外形尺寸
长度 2.1 mm
宽度 1.24 mm
高度 0.85 mm
封装 SC-70-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
MMBTA56WT1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MMBTA56WT1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBTA56WT1 | ON Semiconductor 安森美 | 驱动晶体管PNP硅 Driver Transistor PNP Silicon | 搜索库存 |
替代型号MMBTA56WT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBTA56WT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SC-70 PNP -80V -500mA | 当前型号 | 驱动晶体管PNP硅 Driver Transistor PNP Silicon | 当前型号 |
| 型号： MMBTA56WT1G 品牌： 安森美 封装： SC-70 PNP -80V -500mA 150mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MMBTA56WT1G Bipolar BJT Single Transistor, AEC-Q101, PNP, -80 V, 50 MHz, 150 mW, -500 mA, 100 hFE 新 | MMBTA56WT1和MMBTA56WT1G的区别 |