MMBTA42LT3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 300 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 0.05A
最小电流放大倍数hFE 40 @30mA, 10V
额定功率Max 225 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MMBTA42LT3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MMBTA42LT3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBTA42LT3 | ON Semiconductor 安森美 | SOT-23 NPN 300V 0.05A | 搜索库存 |
替代型号MMBTA42LT3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBTA42LT3 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 NPN 300V 500mA | 当前型号 | SOT-23 NPN 300V 0.05A | 当前型号 |
| 型号： MMBTA42LT1 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 300V 500mA | 完全替代 | 高电压晶体管 High Voltage Transistors | MMBTA42LT3和MMBTA42LT1的区别 |
| 型号： MMBTA42LT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 300V 500mA 300mW | 类似代替 | 高电压晶体管 High Voltage Transistors | MMBTA42LT3和MMBTA42LT3G的区别 |