MPS3638A中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -25.0 V
额定电流 -500 mA
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 25 V
最小电流放大倍数hFE 20 @300mA, 2V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MPS3638A引脚图与封装图
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在线购买MPS3638A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MPS3638A | ON Semiconductor 安森美 | 开关晶体管（ PNP硅） Switching TransistorPNP Silicon | 搜索库存 |
替代型号MPS3638A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPS3638A 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 -25V -500mA | 当前型号 | 开关晶体管（ PNP硅） Switching TransistorPNP Silicon | 当前型号 |
| 型号： MMBT4403LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -40V -600mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBT4403LT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -40 V, 200 MHz, 300 mW, -600 mA, 200 hFE | MPS3638A和MMBT4403LT1G的区别 |
| 型号： PBSS4140T,215 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | Nexperia PBSS4140T,215 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=40 V, HFE:200, 150 MHz, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装 | MPS3638A和PBSS4140T,215的区别 |
| 型号： 2N3707 品牌： Central Semiconductor 封装： TO-92 | 功能相似 | Trans GP BJT NPN 30V 0.2A 3Pin TO-92 Box | MPS3638A和2N3707的区别 |