MMJT9435T1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -3.00 A
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 125 @800mA, 1V
额定功率Max 3 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1560 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
外形尺寸
封装 TO-261-4
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MMJT9435T1G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MMJT9435T1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMJT9435T1G | ON Semiconductor 安森美 | 双极功率晶体管PNP硅 Bipolar Power Transistors PNP Silicon | 搜索库存 |
替代型号MMJT9435T1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMJT9435T1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-223 PNP -30V -3A | 当前型号 | 双极功率晶体管PNP硅 Bipolar Power Transistors PNP Silicon | 当前型号 |
| 型号： MMJT9435T3 品牌： 安森美 封装： SOT-223 PNP -30V -3A | 完全替代 | 双极功率晶体管PNP硅 Bipolar Power Transistors PNP Silicon | MMJT9435T1G和MMJT9435T3的区别 |
| 型号： MMJT9435T3G 品牌： 安森美 封装： SOT-223 PNP -30V -3A | 完全替代 | 双极功率晶体管PNP硅 Bipolar Power Transistors PNP Silicon | MMJT9435T1G和MMJT9435T3G的区别 |
| 型号： NJT4030PT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-223 PNP 2000mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR NJT4030PT1G 单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -40 V, 160 MHz, 2 W, -3 A, 100 hFE | MMJT9435T1G和NJT4030PT1G的区别 |