MMBT6427LT3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 40.0 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 20000 @100mA, 5V
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MMBT6427LT3引脚图与封装图
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在线购买MMBT6427LT3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBT6427LT3 | ON Semiconductor 安森美 | SOT-23 NPN 40V 0.5A | 搜索库存 |
替代型号MMBT6427LT3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBT6427LT3 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 NPN 40V 500mA 300mW | 当前型号 | SOT-23 NPN 40V 0.5A | 当前型号 |
| 型号： MMBT6427LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 40V 600mA 300mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MMBT6427LT1G 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 40 V, 300 mW, 500 mA, 200 hFE | MMBT6427LT3和MMBT6427LT1G的区别 |
| 型号： MMBT6427 品牌： 安森美 封装： | 类似代替 | 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 40 V, 350 mW, 1.2 A, 10000 hFE | MMBT6427LT3和MMBT6427的区别 |
| 型号： MMBT6427-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-23-3 NPN 40V 500mA 300mW | 功能相似 | MMBT6427-7-F 编带 | MMBT6427LT3和MMBT6427-7-F的区别 |