MJ11021中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -250 V
额定电流 -15.0 A
极性 PNP
耗散功率 175000 mW
击穿电压集电极-发射极 250 V
集电极最大允许电流 15A
最小电流放大倍数hFE 400 @10A, 5V
最大电流放大倍数hFE 15000
额定功率Max 175 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 3MHz Min
耗散功率Max 175000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3
外形尺寸
高度 8.51 mm
封装 TO-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
最小包装 100
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MJ11021引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MJ11021
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJ11021 | ON Semiconductor 安森美 | 达林顿互补硅功率晶体管 Complementary Darlington Silicon Power Transistors | 搜索库存 |
替代型号MJ11021
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJ11021 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-3 PNP -250V -15A 175000mW | 当前型号 | 达林顿互补硅功率晶体管 Complementary Darlington Silicon Power Transistors | 当前型号 |
| 型号： MJ11021G 品牌： 安森美 封装： TO-3 PNP -250V -15A 175000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MJ11021G 单晶体管 双极, PNP, 250 V, 150 W, 15 A, 15 hFE | MJ11021和MJ11021G的区别 |