MPS6725G中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 1000 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 4000 @1A, 5V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MPS6725G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MPS6725G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MPS6725G | ON Semiconductor 安森美 | 一瓦达林顿晶体管NPN硅 One Watt Darlington Transistors NPN Silicon | 搜索库存 |
替代型号MPS6725G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPS6725G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 NPN 1000mW | 当前型号 | 一瓦达林顿晶体管NPN硅 One Watt Darlington Transistors NPN Silicon | 当前型号 |
| 型号： BC33725TA 品牌： 安森美 封装： TO-92 625mW | 类似代替 | ON Semiconductor BC33725TA , NPN 晶体管, 800mA, Vce=45 V, HFE:100, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装 | MPS6725G和BC33725TA的区别 |
| 型号： PN2907ABU 品牌： 安森美 封装： TO-226-3 625mW | 类似代替 | PN系列 PNP 625 mW 60 V 800 mA 通孔 通用 晶体管-TO-92-3 | MPS6725G和PN2907ABU的区别 |
| 型号： BC337-40 品牌： Diotec Semiconductor 封装： TO-92 | 功能相似 | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 625mW Automotive 3Pin TO-92 Ammo | MPS6725G和BC337-40的区别 |