MBR20040CT
数据手册.pdf
GeneSiC Semiconductor
分立器件
正向电压 650mV @100A
最大正向浪涌电流(Ifsm) 1500 A
正向电压Max 650mV @100A
安装方式 Surface Mount
封装 Twin Tower
封装 Twin Tower
工作温度 125 ℃
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MBR20040CT | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky 40V 200A 3Pin3+Tab Twin Tower | 搜索库存 |