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MC33179DTBR2G

MC33179DTBR2G

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MC33178、MC33179、低功率、低噪声运算放大器,ON SemiconductorON Semiconductor MC33178/9 系列的运算放大器使用双极技术,用于高质量音频和数据信号处理应用。 它们使用高频 PNP 输入晶体管产生低输入偏置电压、低噪音和低失真的放大器。 它们还提供高输出电流驱动能力,同时每个放大器消耗仅 420 μA 漏极电流。 提供采用 DIP 和 SOIC 封装的双路和四路型号。600 W 输出驱动能力 大输出电压摆幅 低偏置电压:0.15 mV(平均值) 低总谐波畸变:0.0024%(@ 1 kHz、600 W 负载时) 高增益带宽:5 MHz 高转换速率:2 V/μs 双电源操作:±2 V 至 ±18 V 输入上的静电放电钳位 ### 运算放大器,ON Semiconductor

MC33178、MC33179、低功率、低噪声,

ON Semiconductor MC33178/9 系列的运算放大器使用双极技术,用于高质量音频和数据信号处理应用。

它们使用高频 PNP 输入晶体管产生低输入偏置电压、低噪音和低失真的放大器。

它们还提供高输出电流驱动能力,同时每个放大器消耗仅 420 μA 漏极电流。 提供采用 DIP 和 SOIC 封装的双路和四路型号。

600 W 输出驱动能力

大输出电压摆幅

低偏置电压:0.15 mV(平均值)

低总谐波畸变:0.0024%(@ 1 kHz、600 W 负载时)

高增益带宽:5 MHz

高转换速率:2 V/μs

双电源操作:±2 V 至 ±18 V

输入上的静电放电钳位

MC33179DTBR2G中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 4.00V min

无卤素状态 Halogen Free

供电电流 1.7 mA

电路数 4

针脚数 14

共模抑制比 80 dB

带宽 5 MHz

转换速率 2.00 V/μs

增益频宽积 5 MHz

输入补偿电压 1.5 mV

输入偏置电流 100 nA

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 5 MHz

共模抑制比Min 80 dB

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 14

封装 TSSOP-14

外形尺寸

长度 5.1 mm

宽度 4.5 mm

高度 1.05 mm

封装 TSSOP-14

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Provides quality audio and data signal processing for applications.

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MC33179DTBR2G引脚图与封装图
MC33179DTBR2G引脚图

MC33179DTBR2G引脚图

MC33179DTBR2G封装图

MC33179DTBR2G封装图

MC33179DTBR2G封装焊盘图

MC33179DTBR2G封装焊盘图

在线购买MC33179DTBR2G
型号 制造商 描述 购买
MC33179DTBR2G ON Semiconductor 安森美 MC33178、MC33179、低功率、低噪声运算放大器,ON Semiconductor ON Semiconductor MC33178/9 系列的运算放大器使用双极技术,用于高质量音频和数据信号处理应用。 它们使用高频 PNP 输入晶体管产生低输入偏置电压、低噪音和低失真的放大器。 它们还提供高输出电流驱动能力,同时每个放大器消耗仅 420 μA 漏极电流。 提供采用 DIP 和 SOIC 封装的双路和四路型号。 600 W 输出驱动能力 大输出电压摆幅 低偏置电压:0.15 mV(平均值) 低总谐波畸变:0.0024%(@ 1 kHz、600 W 负载时) 高增益带宽:5 MHz 高转换速率:2 V/μs 双电源操作:±2 V 至 ±18 V 输入上的静电放电钳位 ### 运算放大器,ON Semiconductor 搜索库存