无卤素状态 Halogen Free
供电电流 220 µA
电路数 4
共模抑制比 80 dB
带宽 1.80 MHz
转换速率 2.10 V/μs
增益频宽积 1.8 MHz
输入补偿电压 2 mV
输入偏置电流 20 nA
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
增益带宽 1.8 MHz
共模抑制比Min 80 dB
安装方式 Surface Mount
引脚数 14
封装 SOIC-14
封装 SOIC-14
工作温度 -40℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
MC33174VDR2G引脚图
MC33174VDR2G封装图
MC33174VDR2G封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MC33174VDR2G | ON Semiconductor 安森美 | 低功耗 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MC33174VDR2G 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: SOIC 14Pin 2.1V/us | 当前型号 | 低功耗 | 当前型号 | |
型号: MC33174VDG 品牌: 安森美 封装: SOIC | 完全替代 | MC33171/2/4,MCV33172,低功率,单电源 3 V 至 44 V,运算放大器,ON SemiconductorMC33171(单路),MC33172(双路),MC33174(四路) 低电源电流:每个放大器 180 μA 宽带宽:1.8 MHz 高转换速率:2.1 V/μs 低输入偏置电压:2 mV NCV33172 适用于汽车应用;符合 AEC-Q100 | MC33174VDR2G和MC33174VDG的区别 | |
型号: MC33174VDR2 品牌: 安森美 封装: SOIC 14Pin | 完全替代 | 单电源3.0 V至44 V,低功耗运算放大器 Single Supply 3.0 V to 44 V, Low Power Operational Amplifiers | MC33174VDR2G和MC33174VDR2的区别 | |
型号: MC33174VPG 品牌: 安森美 封装: DIP 14Pin 2.1V/us | 完全替代 | 低功耗 | MC33174VDR2G和MC33174VPG的区别 |