MJ15015G中文资料参数规格
技术参数
频率 6 MHz
额定电压DC 120 V
额定电流 15.0 A
针脚数 2
极性 NPN
耗散功率 180 W
增益频宽积 6 MHz
击穿电压集电极-发射极 120 V
热阻 1.52℃/W RθJC
集电极最大允许电流 15A
最小电流放大倍数hFE 10 @4A, 2V
最大电流放大倍数hFE 70
额定功率Max 180 W
直流电流增益hFE 70
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 180 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 TO-204-2
外形尺寸
长度 39.37 mm
宽度 26.67 mm
高度 8.51 mm
封装 TO-204-2
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
制造应用 Industrial, 电源管理, 工业, Audio, 电机驱动与控制, 音频, Motor Drive & Control, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20
海关信息
ECCN代码 EAR99
MJ15015G引脚图与封装图
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在线购买MJ15015G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJ15015G | ON Semiconductor 安森美 | NPN 功率晶体管，ON Semiconductor ### 标准 带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | 搜索库存 |
替代型号MJ15015G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJ15015G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-3 NPN 120V 15A 115000mW | 当前型号 | NPN 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | 当前型号 |
| 型号： MJ15015 品牌： 安森美 封装： TO3 120V 15A | 完全替代 | 互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS | MJ15015G和MJ15015的区别 |
| 型号： BDX66C 品牌： Semelab 封装： PNP 150W | 功能相似 | Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, PNP, -120V, 7MHz, 150W, -16A, 1000 hFE | MJ15015G和BDX66C的区别 |