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MJ21196G

硅功率晶体管 Silicon Power Transistors

- 双极 BJT - 单 NPN 250 V 16 A 4MHz 250 W 通孔 TO-204(TO-3)


欧时:
BIP T03 NPN 16A 250V FG


得捷:
TRANS NPN 250V 16A TO204


立创商城:
MJ21196G


艾睿:
Trans GP BJT NPN 250V 16A 250000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Tray


安富利:
Trans GP BJT NPN 250V 16A 3-Pin2+Tab TO-204 Tray


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 250V 16A 3-Pin2+Tab TO-3 Tray


Verical:
Trans GP BJT NPN 250V 16A 250000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Tray


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MJ21196G  Bipolar BJT Single Transistor, Audio, NPN, 250 V, 4 MHz, 250 W, 16 A, 25 hFE


MJ21196G中文资料参数规格
技术参数

频率 4 MHz

额定电压DC 250 V

额定电流 16.0 A

极性 NPN

耗散功率 250 W

击穿电压集电极-发射极 250 V

集电极最大允许电流 16A

最小电流放大倍数hFE 25 @8A, 5V

最大电流放大倍数hFE 75

额定功率Max 250 W

直流电流增益hFE 25

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-204-2

外形尺寸

宽度 26.67 mm

封装 TO-204-2

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MJ21196G引脚图与封装图
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在线购买MJ21196G
型号 制造商 描述 购买
MJ21196G ON Semiconductor 安森美 硅功率晶体管 Silicon Power Transistors 搜索库存
替代型号MJ21196G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MJ21196G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-3 NPN 250V 16A 250000mW

当前型号

硅功率晶体管 Silicon Power Transistors

当前型号

型号: MJ21194G

品牌: 安森美

封装: TO-3 NPN 250V 16A 250000mW

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MJ21196G和MJ21194G的区别

型号: MJ21194

品牌: 安森美

封装: TO-3 NPN 250V 16A

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MJ21196G和MJ21194的区别

型号: MJ21196

品牌: 安森美

封装: TO-3 NPN 250V 16A

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