MJ11012G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 30.0 A
输出电压 60 V
输出电流 30 A
针脚数 2
极性 NPN
耗散功率 200 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 30A
最小电流放大倍数hFE 1000 @20A, 5V
额定功率Max 200 W
直流电流增益hFE 1000
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 4MHz Min
耗散功率Max 200000 mW
输入电压 5 V
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 TO-204-2
外形尺寸
长度 39.37 mm
宽度 26.67 mm
高度 8.51 mm
封装 TO-204-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
MJ11012G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MJ11012G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJ11012G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR MJ11012G 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 200 W, 30 A, 1000 hFE | 搜索库存 |
替代型号MJ11012G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJ11012G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-3 NPN 60V 30A 200000mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR MJ11012G 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 200 W, 30 A, 1000 hFE | 当前型号 |
| 型号： MJ11012 品牌： 安森美 封装： TO-204-2 NPN | 功能相似 | 达林顿功率晶体管互补硅 DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON | MJ11012G和MJ11012的区别 |