频率 4 MHz
额定电压DC -250 V
额定电流 -16.0 A
针脚数 3
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 200 W
击穿电压集电极-发射极 250 V
集电极最大允许电流 16A
最小电流放大倍数hFE 20 @8A, 5V
最大电流放大倍数hFE 80
额定功率Max 200 W
直流电流增益hFE 20
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.08 mm
封装 TO-247-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 电源管理, 工业, Audio, 音频, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20
ECCN代码 EAR99
MJW21193G引脚图
MJW21193G封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
MJW21193G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR MJW21193G 单晶体管 双极, 音频, PNP, -250 V, 4 MHz, 200 W, -30 A, 20 hFE | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: MJW21193G 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: TO-247 PNP -250V -16A 200000mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR MJW21193G 单晶体管 双极, 音频, PNP, -250 V, 4 MHz, 200 W, -30 A, 20 hFE | 当前型号 | |
型号: MJW21195G 品牌: 安森美 封装: TO-247 PNP -250V -16A 200000mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MJW21195G 单晶体管 双极, 音频, PNP, -250 V, 4 MHz, 200 W, -16 A, 20 hFE | MJW21193G和MJW21195G的区别 | |
型号: MJW21193 品牌: 安森美 封装: TO-247 PNP -250V -16A | 类似代替 | 硅功率晶体管 Silicon Power Transistors | MJW21193G和MJW21193的区别 | |
型号: MJW21191G 品牌: 安森美 封装: TO-247 PNP -150V -4A | 功能相似 | 8.0 A功率晶体管互补硅150伏, 125瓦 8.0 A POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 150 V, 125 W | MJW21193G和MJW21191G的区别 |