MJE5851G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -350 V
额定电流 -8.00 A
极性 PNP
耗散功率 80 W
击穿电压集电极-发射极 350 V
集电极最大允许电流 8A
最小电流放大倍数hFE 5 @5A, 5V
额定功率Max 80 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 80000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.53 mm
宽度 4.83 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MJE5851G引脚图与封装图
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在线购买MJE5851G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJE5851G | ON Semiconductor 安森美 | 8安培PCP硅功率晶体管300 - 350 - 400伏80瓦 8 AMPERE PCP SILICON POWER TRANSISTORS 300 - 350 - 400 VOLTS 80 WATTS | 搜索库存 |
替代型号MJE5851G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJE5851G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-220-3 PNP -350V -8A 80000mW | 当前型号 | 8安培PCP硅功率晶体管300 - 350 - 400伏80瓦 8 AMPERE PCP SILICON POWER TRANSISTORS 300 - 350 - 400 VOLTS 80 WATTS | 当前型号 |
| 型号： MJE5851 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 PNP -350V -8A | 完全替代 | 8安培PCP硅功率晶体管300 - 350 - 400伏80瓦 8 AMPERE PCP SILICON POWER TRANSISTORS 300 - 350 - 400 VOLTS 80 WATTS | MJE5851G和MJE5851的区别 |