频率 8.5 MHz
额定电压DC -15.0 V
额定电流 -200 mA
针脚数 3
极性 P-Channel, N-Channel
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 15 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 50
最大电流放大倍数hFE 120
额定功率Max 225 mW
直流电流增益hFE 20
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 225 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
宽度 1.3 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MMBT5771 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT5771 单晶体管 双极, PNP, -15 V, 225 mW, -200 mA, 20 hFE | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MMBT5771 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SOT-23 P-Channel -15V -200mA 225mW | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT5771 单晶体管 双极, PNP, -15 V, 225 mW, -200 mA, 20 hFE | 当前型号 | |
型号: MMBT2907ALT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 PNP -60V -600mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBT2907ALT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 200 MHz, 225 mW, -600 mA, 200 hFE | MMBT5771和MMBT2907ALT1G的区别 | |
型号: MMBT4403LT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 PNP -40V -600mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBT4403LT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -40 V, 200 MHz, 300 mW, -600 mA, 200 hFE | MMBT5771和MMBT4403LT1G的区别 |