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MBR1035G

MBR1035G

数据手册.pdf

ON SEMICONDUCTOR  MBR1035G.  肖特基整流器

肖特基势垒，10A 至 25A，

### 标准

带 NSV- 或 SBR- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。


得捷:
DIODE SCHOTTKY 35V 10A TO220-2


欧时:
### 肖特基势垒二极管，10A 至 25A，ON Semiconductor### 标准带 NSV- 或 SBR- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。### 二极管和整流器，ON Semiconductor


e络盟:
肖特基整流器


艾睿:
Rectifier Diode Schottky 35V 10A 2-Pin2+Tab TO-220AC Tube


Allied Electronics:
ON Semi MBR1035G, Schottky Diode, 35V 10A, 2-Pin TO-220AC


安富利:
This Schottky Rectifier uses the Schottky Barrier principle with a platinum barrier metal.


Verical:
Diode Schottky 35V 10A 2-Pin2+Tab TO-220AC Rail


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MBR1035G  Schottky Rectifier, 35 V, 10 A, Single, TO-220AC, 2 Pins, 840 mV


Win Source:
DIODE SCHOTTKY 35V 10A TO220-2


MBR1035G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 35.0 V

额定电流 10.0 A

输出电流 ≤10.0 A

针脚数 2

正向电压 840mV @20A

极性 Standard

热阻 2℃/W RθJC

正向电流 10 A

最大正向浪涌电流（Ifsm） 150 A

正向电压Max 840 mV

正向电流Max 10 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-220-2

外形尺寸

长度 10.29 mm

宽度 4.82 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-2

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 电源管理, 传感与仪器, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MBR1035G引脚图与封装图
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在线购买MBR1035G
型号 制造商 描述 购买
MBR1035G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  MBR1035G.  肖特基整流器 搜索库存
替代型号MBR1035G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MBR1035G

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： TO-220AC 35V 10A 840mV

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  MBR1035G.  肖特基整流器

当前型号

型号： MBR745G

品牌： 安森美

封装： TO-220-2 45V 7.5A 570mV

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  MBR745G  肖特基整流器, 单, 45 V, 7.5 A, TO-220AC, 2 引脚, 840 mV

MBR1035G和MBR745G的区别

型号： MBR1045G

品牌： 安森美

封装： TO-220-2 45V 10A 570mV

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  MBR1045G  肖特基整流器, 单, 45 V, 10 A, TO-220AC, 2 引脚, 570 mV

MBR1035G和MBR1045G的区别

型号： MBR735G

品牌： 安森美

封装： TO-220-2 45V 7.5A

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  MBR735G.  肖特基整流二极管

MBR1035G和MBR735G的区别