MMFT5P03HDT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -5.00 A
耗散功率 1.56W Ta
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 3.70 A
上升时间 24.0 ns
输入电容Ciss 950pF @25VVds
耗散功率Max 1.56W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-261-4
外形尺寸
封装 TO-261-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MMFT5P03HDT1引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMFT5P03HDT1 | ON Semiconductor 安森美 | Trans MOSFET P-CH 30V 5.2A 4Pin3+Tab SOT-223 T/R | 搜索库存 |