MBR830MFST1G中文资料参数规格
技术参数
正向电压 700mV @8A
正向电流 8000 mA
正向电流Max 8000 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 DFN-8
外形尺寸
封装 DFN-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
MBR830MFST1G引脚图与封装图
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在线购买MBR830MFST1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MBR830MFST1G | ON Semiconductor 安森美 | 肖特基二极管与整流器 8.0 A, 30 V SCHOTTKY DIOD | 搜索库存 |
替代型号MBR830MFST1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MBR830MFST1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： DFN-5 | 当前型号 | 肖特基二极管与整流器 8.0 A, 30 V SCHOTTKY DIOD | 当前型号 |
| 型号： NRVB830MFST1G 品牌： 安森美 封装： 488AA | 完全替代 | Diode Schottky 30V 8A 4Pin DFN T/R | MBR830MFST1G和NRVB830MFST1G的区别 |
| 型号： MBR830MFST3G 品牌： 安森美 封装： 488AA | 功能相似 | 肖特基二极管与整流器 8.0 A, 30 V SCHOTTKY DIOD | MBR830MFST1G和MBR830MFST3G的区别 |
| 型号： NRVB830MFST3G 品牌： 安森美 封装： 488AA | 功能相似 | Diode Schottky 30V 8A 4Pin DFN T/R | MBR830MFST1G和NRVB830MFST3G的区别 |