MBR860MFST3G中文资料参数规格
技术参数
正向电压 800mV @8A
正向电流Max 8 A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 DFN-8
外形尺寸
封装 DFN-8
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
MBR860MFST3G引脚图与封装图
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在线购买MBR860MFST3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MBR860MFST3G | ON Semiconductor 安森美 | Diode Schottky 60V 8A 4Pin DFN T/R | 搜索库存 |
替代型号MBR860MFST3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MBR860MFST3G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： 488AA | 当前型号 | Diode Schottky 60V 8A 4Pin DFN T/R | 当前型号 |
| 型号： NRVB860MFST3G 品牌： 安森美 封装： 488AA | 完全替代 | 肖特基二极管与整流器 8.0 A, 60 V SCHOTTKY DIOD | MBR860MFST3G和NRVB860MFST3G的区别 |
| 型号： NRVB860MFST1G 品牌： 安森美 封装： 488AA | 类似代替 | 二极管 肖特基 60V 8A 表面贴装型 5-DFN（5x6）（8-SOFL） | MBR860MFST3G和NRVB860MFST1G的区别 |