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MJD42CG

MJD42CG

数据手册.pdf

互补功率晶体管 Complementary Power Transistors

Complementary Power Transistors

DPAK For Surface Mount Applications

Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.

Features

• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves No Suffix

• Straight Lead Version in Plastic Sleeves “1” Suffix

• Electrically Similar to Popular TIP41 and TIP42 Series

• Monolithic Construction With Built−in Base − Emitter Resistors

• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in

• ESD Ratings: Human Body Model, 3B > 8000 V

                   Machine Model, C > 400 V

• Pb−Free Packages are Available

MJD42CG中文资料参数规格
技术参数

频率 3 MHz

额定电压DC -100 V

额定电流 -6.00 A

极性 PNP

耗散功率 1.75 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

热阻 6.25℃/W RθJC

集电极最大允许电流 6A

最小电流放大倍数hFE 15 @3A, 4V

额定功率Max 1.75 W

直流电流增益hFE 75

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1750 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MJD42CG引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MJD42CG
型号 制造商 描述 购买
MJD42CG ON Semiconductor 安森美 互补功率晶体管 Complementary Power Transistors 搜索库存
替代型号MJD42CG
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MJD42CG

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： TO-252-3 PNP -100V -6A 1750mW

当前型号

互补功率晶体管 Complementary Power Transistors

当前型号

型号： MJD42CT4

品牌： 安森美

封装： DPAK PNP -100V -6A

完全替代

互补功率晶体管 Complementary Power Transistors

MJD42CG和MJD42CT4的区别

型号： MJD32CG

品牌： 安森美

封装： TO-252-3 PNP -100V -3A 1560mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  MJD32CG  单晶体管 双极, 通用, PNP, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFE

MJD42CG和MJD32CG的区别

型号： MJD42CT4G

品牌： 安森美

封装： TO-252-3 PNP -100V -6A 1750mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  MJD42CT4G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 100 V, 3 MHz, 20 W, 6 A, 30 hFE

MJD42CG和MJD42CT4G的区别