MJD50G中文资料参数规格
技术参数
频率 10 MHz
额定电压DC 400 V
额定电流 1.00 A
针脚数 4
极性 NPN
耗散功率 1.56 W
增益频宽积 10 MHz
击穿电压集电极-发射极 400 V
热阻 8.33℃/W RθJC
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 30 @300mA, 10V
额定功率Max 1.56 W
直流电流增益hFE 30
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1560 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 车用, 电源管理, 工业, Audio, Automotive, 音频, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
MJD50G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MJD50G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJD50G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR MJD50G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 400 V, 10 MHz, 1.56 W, 1 A, 30 hFE | 搜索库存 |
替代型号MJD50G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJD50G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： DPAK NPN 400V 1A 1560mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR MJD50G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 400 V, 10 MHz, 1.56 W, 1 A, 30 hFE | 当前型号 |
| 型号： NJVMJD50T4G 品牌： 安森美 封装： DPAK-4 NPN 1560mW | 完全替代 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT BIP NPN 1A 400V TR | MJD50G和NJVMJD50T4G的区别 |
| 型号： MJD50TF 品牌： 安森美 封装： DPAK | 完全替代 | ON Semiconductor MJD50TF , NPN 晶体管, 1 A, Vce=400 V, HFE:10, 3引脚 DPAK TO-252封装 | MJD50G和MJD50TF的区别 |
| 型号： MJD50 品牌： 安森美 封装： DPAK-3 NPN 400V 1A | 完全替代 | 高电压功率晶体管 High Voltage Power Transistors | MJD50G和MJD50的区别 |