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MBRA210ET3G

MBRA210ET3G

数据手册.pdf

ON SEMICONDUCTOR  MBRA210ET3G  肖特基整流器, 单, 10 V, 2 A, DO-214AC, 2 引脚, 500 mV

反向电压VrReverse Voltage| 10V \---|--- 平均整流电流IoAVerage Rectified Current| 2A 最大正向压降VFForward VoltageVf | 500mV/0.5V 最大耗散功率PdPower dissipation| Description & Applications| • Low IR, Extends Battery Life • 1st in the Market Place with a 10 VR Schottky Rectifier • Compact Package with J−Bend Leads Ideal for Automated Handling • Highly Stable Oxide Passivated Junction • Guardring for Over−Voltage Protection • Optimized for Low Leakage Current • Surface Mount Schottky Power Rectifier 描述与应用| •低IR,延长电池寿命 •第一次在市场上10 VR肖特基整流器 •高度稳定的氧化钝化结 •Guardring的过电压保护 •低漏电流优化 •表面贴装肖特基功率整流器

MBRA210ET3G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 10.0 V

额定电流 2.00 A

无卤素状态 Halogen Free

输出电流 ≤2.00 A

针脚数 2

正向电压 0.5 V

极性 Standard

热阻 22℃/W RθJL

正向电流 2 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 150 A

正向电压Max 500 mV

正向电流Max 2 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 -65℃ ~ 150℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-214AC

外形尺寸

长度 4.57 mm

宽度 2.92 mm

高度 2 mm

封装 DO-214AC

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MBRA210ET3G引脚图与封装图
MBRA210ET3G引脚图

MBRA210ET3G引脚图

MBRA210ET3G封装焊盘图

MBRA210ET3G封装焊盘图

在线购买MBRA210ET3G
型号 制造商 描述 购买
MBRA210ET3G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  MBRA210ET3G  肖特基整流器, 单, 10 V, 2 A, DO-214AC, 2 引脚, 500 mV 搜索库存
替代型号MBRA210ET3G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MBRA210ET3G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SMA 10V 2A 500mV

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  MBRA210ET3G  肖特基整流器, 单, 10 V, 2 A, DO-214AC, 2 引脚, 500 mV

当前型号

型号: MBRA210ET3

品牌: 安森美

封装: SMA 10V 2A 0.5V

功能相似

表面贴装肖特基整流电源 Surface Mount Schottky Power Rectifier

MBRA210ET3G和MBRA210ET3的区别