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MJD210T4G

ON SEMICONDUCTOR  MJD210T4G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -25 V, 65 MHz, 1.4 W, -5 A, 70 hFE

PNP 功率,

### 标准

带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


欧时:
ON Semiconductor MJD210T4G , PNP 晶体管, 5 A, Vce=25 V, HFE:10, 10 MHz, 3引脚 DPAK TO-252封装


得捷:
TRANS PNP 25V 5A DPAK


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MJD210T4G


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Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP


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单晶体管 双极, 通用, PNP, -25 V, 65 MHz, 1.4 W, -5 A, 70 hFE


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Trans GP BJT PNP 25V 10A 1400mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R


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MJD 系列 25 V 5 A Tab 安装 PNP 互补 塑料 功率晶体管 TO-252


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# ON SEMICONDUCTOR  MJD210T4G  Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, PNP, -25 V, 65 MHz, 1.4 W, -5 A, 70 hFE


Win Source:
TRANS PNP 25V 5A DPAK


DeviceMart:
TRANS PWR PNP 5A 25V DPAK


MJD210T4G中文资料参数规格
技术参数

频率 65 MHz

额定电压DC -25.0 V

额定电流 -5.00 A

针脚数 4

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 1.4 W

增益频宽积 65 MHz

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 45 @2A, 1V

额定功率Max 1.4 W

直流电流增益hFE 70

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MJD210T4G引脚图与封装图
MJD210T4G引脚图

MJD210T4G引脚图

MJD210T4G封装焊盘图

MJD210T4G封装焊盘图

在线购买MJD210T4G
型号 制造商 描述 购买
MJD210T4G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  MJD210T4G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -25 V, 65 MHz, 1.4 W, -5 A, 70 hFE 搜索库存
替代型号MJD210T4G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MJD210T4G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-252 PNP -25V -5A 1400mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  MJD210T4G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -25 V, 65 MHz, 1.4 W, -5 A, 70 hFE

当前型号

型号: KSH210TF

品牌: 安森美

封装: DPAK 1400mW

完全替代

ON Semiconductor KSH210TF , PNP 晶体管, 5 A, Vce=25 V, HFE:10, 0.1 MHz, 3引脚 DPAK TO-252封装

MJD210T4G和KSH210TF的区别

型号: MJD210TF

品牌: 安森美

封装:

完全替代

Transistor, Bjt, Pnp, 25V vBrCeo, 5A ic, To-252aa

MJD210T4G和MJD210TF的区别

型号: KSH210TM

品牌: 安森美

封装: 369AK 1400mW

完全替代

TRANS PNP 25V 5A DPAK

MJD210T4G和KSH210TM的区别