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MCH6604-TL-E

MCH6604-TL-E

数据手册.pdf

0.25A,50V,双N沟道MOSFET

MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 50V 250mA 800mW 表面贴装型 6-MCPH


得捷:
MOSFET 2N-CH 50V 0.25A MCPH6


艾睿:
This MCH6604-TL-E power MOSFET from ON Semiconductor can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 800 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 50V 0.25A 6-Pin MCPH T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.25A 6-Pin MCPH T/R


力源芯城:
0.25A,50V,双N沟道MOSFET


MCH6604-TL-E中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

极性 N-Channel

耗散功率 0.8 W

漏源极电压Vds 50 V

连续漏极电流Ids 250 mA

上升时间 42 ns

输入电容Ciss 6.6pF @10VVds

额定功率Max 800 mW

下降时间 105 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

MCH6604-TL-E引脚图与封装图
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