MCH6341-TL-W中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 -
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 26 ns
输入电容Ciss 430pF @10VVds
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 MCPH-6
外形尺寸
封装 MCPH-6
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
MCH6341-TL-W引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MCH6341-TL-W
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MCH6341-TL-W | ON Semiconductor 安森美 | P沟道 30V 5A | 搜索库存 |
替代型号MCH6341-TL-W
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MCH6341-TL-W 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： 419AS | 当前型号 | P沟道 30V 5A | 当前型号 |
| 型号： MCH6341-TL-E 品牌： 安森美 封装： 6-SMD P-CH 30V 5A | 功能相似 | P 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor | MCH6341-TL-W和MCH6341-TL-E的区别 |
| 型号： MCH6341-TL-H 品牌： 安森美 封装： SOT-363-6 | 功能相似 | Trans MOSFET P-CH 30V 5A 6Pin MCPH T/R | MCH6341-TL-W和MCH6341-TL-H的区别 |
