MPS751ZL1G中文资料参数规格
技术参数
频率 75 MHz
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -2.00 A
极性 PNP
耗散功率 0.625 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 75 @1A, 2V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MPS751ZL1G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MPS751ZL1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MPS751ZL1G | ON Semiconductor 安森美 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | 搜索库存 |
替代型号MPS751ZL1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPS751ZL1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 PNP -60V -2A 0.625W | 当前型号 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | 当前型号 |
| 型号： MPS751RLRPG 品牌： 安森美 封装： TO-92 PNP -60V -2A 625mW | 完全替代 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | MPS751ZL1G和MPS751RLRPG的区别 |
| 型号： MPS751ZL1 品牌： 安森美 封装： TO-92 PNP -60V -2A | 完全替代 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | MPS751ZL1G和MPS751ZL1的区别 |
| 型号： MPS751RLRP 品牌： 安森美 封装： TO-92 PNP -60V -2A | 完全替代 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | MPS751ZL1G和MPS751RLRP的区别 |