针脚数 3
漏源极电阻 0.063 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1 W
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 3A
上升时间 26 ns
输入电容Ciss 375pF @10VVds
下降时间 37 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
封装 SOT-323-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MCH3377-TL-W | ON Semiconductor 安森美 | 晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -20 V, 0.063 ohm, -4.5 V, -1.3 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MCH3377-TL-W 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: SOT-323-3 P-Channel 20V 3A | 当前型号 | 晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -20 V, 0.063 ohm, -4.5 V, -1.3 V | 当前型号 | |
型号: MCH3374-TL-W 品牌: 安森美 封装: SC-70 P-Channel 12V 3A | 类似代替 | P 通道功率 MOSFET,12V,ON Semiconductor | MCH3377-TL-W和MCH3374-TL-W的区别 | |
型号: MCH3377-TL-H 品牌: 安森美 封装: SOT-323-3 P-CH 20V 3A | 类似代替 | P沟道 20V 3A | MCH3377-TL-W和MCH3377-TL-H的区别 | |
型号: RTR030P02TL 品牌: 罗姆半导体 封装: TSMT P-Channel 20V 3A 900mohms | 功能相似 | ROHM RTR030P02TL 晶体管, MOSFET, 低电压, P沟道, 3.2 A, -20 V, 125 mohm, -4.5 V, -2 V | MCH3377-TL-W和RTR030P02TL的区别 |