MPSW01ARLRPG中文资料参数规格
技术参数
频率 50 MHz
额定电压DC 40.0 V
额定电流 1.00 A
极性 NPN
耗散功率 1 W
集电极击穿电压 40.0 V
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 60 @100mA, 1V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MPSW01ARLRPG引脚图与封装图
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在线购买MPSW01ARLRPG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MPSW01ARLRPG | ON Semiconductor 安森美 | 一瓦高电流晶体管NPN硅 One Watt High Current Transistors NPN Silicon | 搜索库存 |
替代型号MPSW01ARLRPG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPSW01ARLRPG 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 NPN 40V 1A 1W | 当前型号 | 一瓦高电流晶体管NPN硅 One Watt High Current Transistors NPN Silicon | 当前型号 |
| 型号： MPSW01AG 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 40V 1A 10mW | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR MPSW01AG 双极晶体管 | MPSW01ARLRPG和MPSW01AG的区别 |
| 型号： MPSW01ARLRAG 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 40V 1A 1000mW | 类似代替 | 一瓦高电流晶体管NPN硅 One Watt High Current Transistors NPN Silicon | MPSW01ARLRPG和MPSW01ARLRAG的区别 |
| 型号： MPSW01A 品牌： 安森美 封装： TO92 NPN 40V 1A 1W | 类似代替 | 一瓦高电流晶体管（ NPN硅） One Watt High Current TransistorsNPN Silicon | MPSW01ARLRPG和MPSW01A的区别 |