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MPSA42RL1G

MPSA42RL1G

数据手册.pdf

ON SEMICONDUCTOR  MPSA42RL1G  单晶体管 双极, NPN, 300 V, 50 MHz, 625 mW, 50 mA, 25 hFE

Thanks to , your circuit can handle high levels of voltage using the NPN general purpose bipolar junction transistor. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 625 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 300 V and a maximum emitter base voltage of 6 V.

MPSA42RL1G中文资料参数规格
技术参数

频率 50 MHz

额定电压DC 300 V

额定电流 500 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 625 mW

增益频宽积 50 MHz

击穿电压集电极-发射极 300 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 40 @30mA, 10V

额定功率Max 625 mW

直流电流增益hFE 25

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

MPSA42RL1G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MPSA42RL1G
型号 制造商 描述 购买
MPSA42RL1G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  MPSA42RL1G  单晶体管 双极, NPN, 300 V, 50 MHz, 625 mW, 50 mA, 25 hFE 搜索库存
替代型号MPSA42RL1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MPSA42RL1G

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： TO-92 NPN 300V 500mA 625mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  MPSA42RL1G  单晶体管 双极, NPN, 300 V, 50 MHz, 625 mW, 50 mA, 25 hFE

当前型号

型号： KSP42TA

品牌： 飞兆/仙童

封装： TO-92 NPN 300V 500mA 625mW

完全替代

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSP42TA  单晶体管 双极, NPN, 300 V, 50 MHz, 625 mW, 500 mA, 25 hFE

MPSA42RL1G和KSP42TA的区别

型号： MMBTA42LT1G

品牌： 安森美

封装： SOT-23 NPN 300V 500mA 300mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  MMBTA42LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 300 V, 50 MHz, 225 mW, 500 mA, 50 hFE

MPSA42RL1G和MMBTA42LT1G的区别

型号： MPSA42RLRAG

品牌： 安森美

封装： TO-92 NPN 300V 500mA 0.625W

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  MPSA42RLRAG  双极性晶体管

MPSA42RL1G和MPSA42RLRAG的区别