MCR12DCNT4中文资料参数规格
技术参数
触点数 2
额定电压DC 800 V
额定电流 7.8 A
正向电压 1.9 V
转换速率 200 V/μs
保持电流Max 40 mA
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min 40 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
MCR12DCNT4引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MCR12DCNT4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MCR12DCNT4 | ON Semiconductor 安森美 | 可控硅整流器反向阻断晶闸管 Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors | 搜索库存 |
替代型号MCR12DCNT4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MCR12DCNT4 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-252-3 12A 800V | 当前型号 | 可控硅整流器反向阻断晶闸管 Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors | 当前型号 |
| 型号： MCR12DCNT4G 品牌： 安森美 封装： DPAK 12A 800V 3Pin | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MCR12DCNT4G Thyristor, 800 V, 20 mA, 7.8 A, 12 A, TO-252, 3 Pins 新 | MCR12DCNT4和MCR12DCNT4G的区别 |