MUN2131T1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
无卤素状态 Halogen Free
极性 PNP
耗散功率 338 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 338 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-59
外形尺寸
封装 SC-59
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MUN2131T1G引脚图与封装图
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在线购买MUN2131T1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MUN2131T1G | ON Semiconductor 安森美 | 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors | 搜索库存 |
替代型号MUN2131T1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MUN2131T1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SC-59 PNP -50V -100mA 338mW | 当前型号 | 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors | 当前型号 |
| 型号： MUN2131T1 品牌： 安森美 封装： | 功能相似 | 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors | MUN2131T1G和MUN2131T1的区别 |
| 型号： MUN5113DW1T1 品牌： 摩托罗拉 封装： | 功能相似 | Dual Bias Resistor Transistors | MUN2131T1G和MUN5113DW1T1的区别 |
| 型号： MUN5114DW1T1 品牌： 摩托罗拉 封装： | 功能相似 | Dual Bias Resistor Transistors | MUN2131T1G和MUN5114DW1T1的区别 |