MUN2211JT1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
无卤素状态 Halogen Free
极性 NPN
耗散功率 338 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 35 @5mA, 10V
额定功率Max 230 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 338 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.5 mm
高度 1.09 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MUN2211JT1G引脚图与封装图
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在线购买MUN2211JT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MUN2211JT1G | ON Semiconductor 安森美 | 双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V | 搜索库存 |
替代型号MUN2211JT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MUN2211JT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SC-59 NPN 50V 100mA 338mW | 当前型号 | 双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V | 当前型号 |
| 型号： MUN2211JT1 品牌： 安森美 封装： SC-59 NPN 50V 100mA | 完全替代 | MUN2211JT1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k 10k SOT-23/SC-59 marking/标记 8A ESD保护 | MUN2211JT1G和MUN2211JT1的区别 |