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MMUN2236LT1G

MMUN2236LT1G

数据手册.pdf

SOT-23 NPN 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 TO-236


立创商城:
MMUN2236LT1G


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R


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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MMUN2236LT1G  Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm, 1 Ratio, SOT-23


MMUN2236LT1G中文资料参数规格
技术参数

无卤素状态 Halogen Free

极性 NPN

耗散功率 0.4 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

额定功率Max 246 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMUN2236LT1G引脚图与封装图
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在线购买MMUN2236LT1G
型号 制造商 描述 购买
MMUN2236LT1G ON Semiconductor 安森美 SOT-23 NPN 50V 100mA 搜索库存
替代型号MMUN2236LT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MMUN2236LT1G

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： SOT-23-3 NPN 400mW

当前型号

SOT-23 NPN 50V 100mA

当前型号

型号： MUN5241T1G

品牌： 安森美

封装： SC-70 NPN 310mW

功能相似

SC-70 NPN 50V 100mA

MMUN2236LT1G和MUN5241T1G的区别

型号： PDTC115EEF,115

品牌： 恩智浦

封装： SC-89 NPN

功能相似

SC-89 NPN 50V 20mA

MMUN2236LT1G和PDTC115EEF,115的区别