MMBT2222AWT3G中文资料参数规格
技术参数
频率 300 MHz
极性 NPN
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-70-3
外形尺寸
封装 SC-70-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MMBT2222AWT3G引脚图与封装图
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在线购买MMBT2222AWT3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBT2222AWT3G | ON Semiconductor 安森美 | MMBT2222A 系列 40 V 600 mA 通用 晶体管 - SOT-323 SC-70 | 搜索库存 |
替代型号MMBT2222AWT3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBT2222AWT3G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SC-70-3 NPN 150mW | 当前型号 | MMBT2222A 系列 40 V 600 mA 通用 晶体管 - SOT-323 SC-70 | 当前型号 |
| 型号： MMBT2222AWT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-323 NPN 40V 28A 150mW | 类似代替 | NPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | MMBT2222AWT3G和MMBT2222AWT1G的区别 |
| 型号： SMMBT2222AWT1G 品牌： 安森美 封装： SC-70-3 NPN 150mW | 类似代替 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT SS GP XSTR NPN 40V | MMBT2222AWT3G和SMMBT2222AWT1G的区别 |