MPS3563G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 12.0 V
额定电流 50.0 mA
极性 N-Channel
耗散功率 850 mW
击穿电压集电极-发射极 12 V
最小电流放大倍数hFE 20 @8mA, 10V
额定功率Max 350 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MPS3563G引脚图与封装图
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在线购买MPS3563G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MPS3563G | ON Semiconductor 安森美 | 放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon | 搜索库存 |
替代型号MPS3563G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPS3563G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 N-Channel 12V 50mA 850mW | 当前型号 | 放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon | 当前型号 |
| 型号： MMBT918 品牌： NTE Electronics 封装： | 功能相似 | t-Npn Si- Vhf | MPS3563G和MMBT918的区别 |
| 型号： BFS17 品牌： Vishay Intertechnology 封装： | 功能相似 | Transistor, | MPS3563G和BFS17的区别 |
| 型号： MPSH10 品牌： NTE Electronics 封装： | 功能相似 | On Semiconductor Transistor, Type: Silicon NPN, Voltage: 25V, Current: 40mA, Power: 0.35W, Frequency: 650MHz | MPS3563G和MPSH10的区别 |