MRF16006
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M/A-Com
分立器件
MRF16006中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 55 V
增益 7.4 dB
额定功率Max 6 W
封装参数
安装方式 Chassis
封装 395C-01
外形尺寸
封装 395C-01
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MRF16006引脚图与封装图
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在线购买MRF16006
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MRF16006 | M/A-Com | 射频线NPN硅功率晶体管6.0W ， 1.6GHz的， 28V The RF Line NPN Silicon Power Transistor 6.0W , 1.6GHz, 28V | 搜索库存 |
替代型号MRF16006
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MRF16006 品牌： M/A-Com 封装： 395C-01 | 当前型号 | 射频线NPN硅功率晶体管6.0W ， 1.6GHz的， 28V The RF Line NPN Silicon Power Transistor 6.0W , 1.6GHz, 28V | 当前型号 |
| 型号： ASAT10 品牌： Advanced Semiconductor 封装： | 功能相似 | RF Power Bipolar Transistor, 1Element, L Band, Silicon, NPN, 0.25INCH, FM-2 | MRF16006和ASAT10的区别 |