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MUN5230DW1T1G

MUN5230DW1T1G

数据手册.pdf

ON SEMICONDUCTOR  MUN5230DW1T1G.  晶体管, 带电阻, 50V, 1K/1KΩ, SOT-363

通用 NPN ,最大 1A,On Semiconductor

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88


立创商城:
MUN5230DW1T1G


欧时:
### 通用 NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管


e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q100, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 1 kohm, 1 电阻比率


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R


安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SOT-363 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MUN5230DW1T1G  Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 1 kohm, 1 Ratio, SOT-363


Win Source:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363


MUN5230DW1T1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

无卤素状态 Halogen Free

极性 N-Channel, NPN

耗散功率 0.385 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 3 @5mA, 10V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 385 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MUN5230DW1T1G引脚图与封装图
MUN5230DW1T1G引脚图

MUN5230DW1T1G引脚图

MUN5230DW1T1G封装焊盘图

MUN5230DW1T1G封装焊盘图

在线购买MUN5230DW1T1G
型号 制造商 描述 购买
MUN5230DW1T1G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  MUN5230DW1T1G.  晶体管, 带电阻, 50V, 1K/1KΩ, SOT-363 搜索库存
替代型号MUN5230DW1T1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MUN5230DW1T1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-363 N-Channel 50V 100mA 385mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  MUN5230DW1T1G.  晶体管, 带电阻, 50V, 1K/1KΩ, SOT-363

当前型号

型号: MUN5230DW1T1

品牌: 安森美

封装: SOT-363 NPN 50V 100mA

类似代替

双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors

MUN5230DW1T1G和MUN5230DW1T1的区别

型号: PUMH10

品牌: 恩智浦

封装: SOT-363 NPN 200mW

功能相似

NXP  PUMH10  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.047 电阻比率, SOT-363

MUN5230DW1T1G和PUMH10的区别

型号: PUMB13

品牌: 恩智浦

封装: SOT-363 PNP

功能相似

NXP  PUMB13  晶体管 双极预偏置/数字, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 10 电阻比率, SOT-363 新

MUN5230DW1T1G和PUMB13的区别