MPN3700G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 10.0 A
电容 1.00 pF
极性 Standard
耗散功率 0.28 W
工作温度Max 125 ℃
耗散功率Max 280 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-2
外形尺寸
长度 5.21 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-2
物理参数
工作温度 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MPN3700G引脚图与封装图
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在线购买MPN3700G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MPN3700G | ON Semiconductor 安森美 | 高压硅PIN二极管 High Voltage Silicon Pin Diodes | 搜索库存 |
替代型号MPN3700G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPN3700G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 200V 10A | 当前型号 | 高压硅PIN二极管 High Voltage Silicon Pin Diodes | 当前型号 |
| 型号： MMBV3700LT1G 品牌： 安森美 封装： | 功能相似 | 高压硅PIN二极管 High Voltage Silicon Pin Diodes | MPN3700G和MMBV3700LT1G的区别 |
| 型号： MMBV3700LT1 品牌： 安森美 封装： | 功能相似 | 高压硅PIN二极管 High Voltage Silicon Pin Diodes | MPN3700G和MMBV3700LT1的区别 |
| 型号： MPN3700 品牌： 安森美 封装： | 功能相似 | 高压硅PIN二极管 High Voltage Silicon Pin Diodes | MPN3700G和MPN3700的区别 |