MMBD770T1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 70.0 V
额定电流 1.00 A
输出电流 ≤200 mA
极性 Standard
耗散功率 120 mW
耗散功率Max 120 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SC-70-3
外形尺寸
封装 SC-70-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MMBD770T1引脚图与封装图
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在线购买MMBD770T1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBD770T1 | ON Semiconductor 安森美 | MMBD770T1 肖特基二极管 70V 10mA 1V SOT-323/SC-70 marking/标记 5H | 搜索库存 |
替代型号MMBD770T1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBD770T1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： | 当前型号 | MMBD770T1 肖特基二极管 70V 10mA 1V SOT-323/SC-70 marking/标记 5H | 当前型号 |
| 型号： MMBD770T1G 品牌： 安森美 封装： | 完全替代 | MMBD770T1 系列 70 V 200 nA 表面贴装 肖特基势垒二极管 - SC-70-3 | MMBD770T1和MMBD770T1G的区别 |