MMBD355LT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 7.00 V
额定电流 80.0 mA
耗散功率 225 mW
耗散功率Max 225 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MMBD355LT1引脚图与封装图
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在线购买MMBD355LT1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBD355LT1 | ON Semiconductor 安森美 | 双热载流子二极管混频器 Dual Hot Carrier Mixer Diodes | 搜索库存 |
替代型号MMBD355LT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBD355LT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： | 当前型号 | 双热载流子二极管混频器 Dual Hot Carrier Mixer Diodes | 当前型号 |
| 型号： MMBD355LT1G 品牌： 安森美 封装： | 类似代替 | On SemiconductorRF（射频）二极管，适用于 HF、射频及微波混合和检测应用。### 标准带 NSV- 或 S- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。### 二极管和整流器，ON Semiconductor | MMBD355LT1和MMBD355LT1G的区别 |