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MMBD354LT1G

MMBD354LT1G

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ON SEMICONDUCTOR  MMBD354LT1G  二极管 小信号, 双共阴极, 7 V, 10 mA, 600 mV

- 射频 肖特基 - 1 对共阴极 7V 225 mW SOT-23-3（TO-236）


得捷:
DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3


e络盟:
二极管 小信号, 双共阴极, 7 V, 10 mA, 600 mV


艾睿:
Diode Switching 7V 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Diode Switching Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Diode Switching 7V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MMBD354LT1G  Small Signal Diode, Dual Common Cathode, 7 V, 10 mA, 600 mV


Win Source:
DIODE SWITCH DUAL 7V SOT23


DeviceMart:
DIODE SWITCH DUAL 7V SOT23


MMBD354LT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 7.00 V

额定电流 10.0 mA

电容 1.00 pF

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

正向电压 0.6 V

耗散功率 300 mW

正向电流 10 mA

正向电压Max 600 mV

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 225 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMBD354LT1G引脚图与封装图
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在线购买MMBD354LT1G
型号 制造商 描述 购买
MMBD354LT1G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  MMBD354LT1G  二极管 小信号, 双共阴极, 7 V, 10 mA, 600 mV 搜索库存
替代型号MMBD354LT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MMBD354LT1G

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装：

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  MMBD354LT1G  二极管 小信号, 双共阴极, 7 V, 10 mA, 600 mV

当前型号

型号： MMBD354LT1

品牌： 安森美

封装：

类似代替

双热载流子二极管混频器 Dual Hot Carrier Mixer Diodes

MMBD354LT1G和MMBD354LT1的区别

型号： MMBD354

品牌： 摩托罗拉

封装：

功能相似

Mixer Diode, Ultra High Frequency, Silicon, TO-236AB

MMBD354LT1G和MMBD354的区别