无卤素状态 Halogen Free
电路数 1
电源电压 4.2V ~ 5.7V
安装方式 Surface Mount
引脚数 16
封装 SOIC-16
封装 SOIC-16
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
MC10EL34DR2G引脚图
MC10EL34DR2G封装图
MC10EL34DR2G封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MC10EL34DR2G | ON Semiconductor 安森美 | 5V ECL ± 2 , ± 4 , ± 8时钟发生器芯片 5V ECL ±2, ±4, ±8 Clock Generation Chip | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MC10EL34DR2G 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: SOIC 16Pin | 当前型号 | 5V ECL ± 2 , ± 4 , ± 8时钟发生器芯片 5V ECL ±2, ±4, ±8 Clock Generation Chip | 当前型号 | |
型号: MC100EL34DG 品牌: 安森美 封装: SOIC 1.1GHz 4.2V 16Pin | 完全替代 | 5V ECL ÷2,÷4,÷8 时钟发生芯片 | MC10EL34DR2G和MC100EL34DG的区别 | |
型号: MC10EL34DG 品牌: 安森美 封装: SOIC 1.1GHz 4.2V 16Pin | 完全替代 | 5V ECL ÷2,÷4,÷8 时钟发生芯片 | MC10EL34DR2G和MC10EL34DG的区别 | |
型号: MC100EL34DR2G 品牌: 安森美 封装: SOIC 16Pin | 完全替代 | 5V ECL ± 2 , ± 4 , ± 8时钟发生器芯片 5V ECL ±2, ±4, ±8 Clock Generation Chip | MC10EL34DR2G和MC100EL34DR2G的区别 |