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MMBD452LT1G

MMBD452LT1G

数据手册.pdf

双热载流子二极管肖特基势垒二极管 Dual Hot−Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes

RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 30V 225mW SOT-23-3 TO-236


得捷:
DIODE SCHOTTKY 30V 225MW SOT23-3


欧时:
ON Semiconductor, MMBD452LT1G


立创商城:
MMBD452LT1G


e络盟:
二极管, 射频肖特基, 双系列, 30 V, 600 mV, 0.9 pF, SOT-23


艾睿:
Diode RF Schottky 30V 225mW 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
Diode Schottky 30V 3-Pin SOT-23 T/R


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Diode Schottky 30V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Diode Schottky 30V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MMBD452LT1G  RF Schottky Diode, Hot-Carrier, Dual Series, 30 V, 600 mV, 0.9 pF, SOT-23


Win Source:
DIODE SCHOTTKY DUAL 30V SOT-23


DeviceMart:
DIODE SCHOTTKY DUAL 30V SOT-23


MMBD452LT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 100 mA

电容 0.9 pF

无卤素状态 Halogen Free

正向电压 0.6 V

耗散功率 225 mW

正向电压Max 600 mV

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 225 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMBD452LT1G引脚图与封装图
MMBD452LT1G引脚图

MMBD452LT1G引脚图

MMBD452LT1G封装图

MMBD452LT1G封装图

MMBD452LT1G封装焊盘图

MMBD452LT1G封装焊盘图

在线购买MMBD452LT1G
型号 制造商 描述 购买
MMBD452LT1G ON Semiconductor 安森美 双热载流子二极管肖特基势垒二极管 Dual Hot−Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes 搜索库存
替代型号MMBD452LT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MMBD452LT1G

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装：

当前型号

双热载流子二极管肖特基势垒二极管 Dual Hot−Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes

当前型号

型号： MMBD101LT1G

品牌： 安森美

封装： SOT-23 7V 225mA

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  MMBD101LT1G  小信号肖特基二极管, AEC-Q101, 单, 7 V, 10 mA, 600 mV, 150 °C 新

MMBD452LT1G和MMBD101LT1G的区别

型号： MMBD353LT1G

品牌： 安森美

封装：

类似代替

MMBD353LT1G 系列 7 V 10 uA 表面贴装 双 热载流子 混频器 二极管 - SOT-23-3

MMBD452LT1G和MMBD353LT1G的区别

型号： BAT54S-7-F

品牌： 美台

封装： SOT-23 30V 200mA

功能相似

30V,0.2A,1对串联双肖特基二极管

MMBD452LT1G和BAT54S-7-F的区别