MMBD330T1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 1.00 A
无卤素状态 Halogen Free
输出电流 ≤1.00 A
针脚数 3
正向电压 0.45 V
极性 Standard
耗散功率 120 mW
正向电流 200 mA
最大正向浪涌电流（Ifsm） 1 A
正向电压Max 450 mV
正向电流Max 200 mA
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 120 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-70-3
外形尺寸
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 0.9 mm
封装 SC-70-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMBD330T1G引脚图与封装图
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在线购买MMBD330T1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBD330T1G | ON Semiconductor 安森美 | MMBD3301 系列 SOT-323 30V 200mA 肖特基 二极管 | 搜索库存 |
替代型号MMBD330T1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBD330T1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-323 30V 1A | 当前型号 | MMBD3301 系列 SOT-323 30V 200mA 肖特基 二极管 | 当前型号 |
| 型号： MMBD330T1 品牌： 安森美 封装： SOT-323 30V 1A | 完全替代 | 肖特基势垒二极管 Schottky Barrier Diodes | MMBD330T1G和MMBD330T1的区别 |
| 型号： BAT54W,115 品牌： 恩智浦 封装： SOT-323 | 功能相似 | NXP BAT54W,115 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 100 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C | MMBD330T1G和BAT54W,115的区别 |
| 型号： 1PS70SB10,115 品牌： 恩智浦 封装： SC-70 | 功能相似 | 1PS70SB10 系列 30 V 200 mA 表面贴装 肖特基 势垒 双通道 二极管 - SOT-323 | MMBD330T1G和1PS70SB10,115的区别 |