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MMBD770T1G

MMBD770T1G

数据手册.pdf

MMBD770T1 系列 70 V 200 nA 表面贴装 肖特基势垒二极管 - SC-70-3

- 射频 肖特基 - 单 70V 200 mA 120 mW SC-70-3(SOT323)


得捷:
DIODE SCHOTTKY 70V 120MW SC70-3


立创商城:
MMBD770T1G


e络盟:
二极管, 射频肖特基, 单, 70 V, 200 mA, 1 V, 0.5 pF, SC-70


艾睿:
If your circuit needs to adjust from an AC to DC voltage use a Schottky diode MMBD770T1G rectifier from ON Semiconductor. Its maximum power dissipation is 120 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This rectifier has an operating temperature range of -55 °C to 125 °C. It is made in a single configuration. Its peak non-repetitive surge current is 1 A, while its maximum continuous forward current is 0.2 A.


Chip1Stop:
Diode Schottky 70V 0.2A Automotive 3-Pin SC-70 T/R


Verical:
Diode Schottky 70V 0.2A Automotive 3-Pin SC-70 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MMBD770T1G  RF Schottky Diode, Barrier, Single, 70 V, 200 mA, 1 V, 0.5 pF, SOT-323


DeviceMart:
DIODE SCHOTTKY 1A 70V SOT-323


MMBD770T1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 70.0 V

额定电流 1.00 A

电容 0.5 pF

输出电流 ≤200 mA

正向电压 0.42 V

极性 Standard

耗散功率 120 mW

正向电流 200 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 1 A

正向电压Max 1 V

正向电流Max 200 mA

耗散功率Max 120 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-70-3

外形尺寸

封装 SC-70-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMBD770T1G引脚图与封装图
MMBD770T1G引脚图

MMBD770T1G引脚图

MMBD770T1G封装图

MMBD770T1G封装图

MMBD770T1G封装焊盘图

MMBD770T1G封装焊盘图

在线购买MMBD770T1G
型号 制造商 描述 购买
MMBD770T1G ON Semiconductor 安森美 MMBD770T1 系列 70 V 200 nA 表面贴装 肖特基势垒二极管 - SC-70-3 搜索库存
替代型号MMBD770T1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMBD770T1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装:

当前型号

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完全替代

MMBD770T1 肖特基二极管 70V 10mA 1V SOT-323/SC-70 marking/标记 5H

MMBD770T1G和MMBD770T1的区别