MMBF4391LT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 50.0 mA
漏源极电阻 30 Ω
极性 N-Channel
漏源极电压Vds 30 V
栅源击穿电压 30.0 V
击穿电压 30 V
输入电容Ciss 14pF @15VVds
额定功率Max 225 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MMBF4391LT1引脚图与封装图
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在线购买MMBF4391LT1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBF4391LT1 | ON Semiconductor 安森美 | JFET开关晶体管 JFET Switching Transistors | 搜索库存 |
替代型号MMBF4391LT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBF4391LT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 N-Channel 30V 50mA | 当前型号 | JFET开关晶体管 JFET Switching Transistors | 当前型号 |
| 型号： MMBF4391LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 N-Channel 30V 50mA 225mW | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR MMBF4391LT1G. 场效应管, JFET | MMBF4391LT1和MMBF4391LT1G的区别 |