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MMBFJ175LT1

MMBFJ175LT1

数据手册.pdf

MMBFJ175LT1 P沟道结型场效应管 25 V －7.0~－60.0mA SOT-23 marking/标记 6W

This P-channel JFET device is designed for analog switching and chopper applications.

Features

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 |

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Low rDSon Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life
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Miniature SOT-23 Surface Mount Package Saves Board Space
.
These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

得捷:
MOSFET SS P-CHAN 25V SOT23


艾睿:
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R


MMBFJ175LT1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -25.0 V

额定电流 -60.0 mA

漏源极电阻 125 Ω

极性 P-Channel

漏源极电压Vds 25.0 V

栅源击穿电压 30.0 V

连续漏极电流Ids 60.0 mA

击穿电压 30 V

输入电容Ciss 11pF @10VVgs

额定功率Max 225 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMBFJ175LT1引脚图与封装图
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在线购买MMBFJ175LT1
型号 制造商 描述 购买
MMBFJ175LT1 ON Semiconductor 安森美 MMBFJ175LT1 P沟道结型场效应管 25 V －7.0~－60.0mA SOT-23 marking/标记 6W 搜索库存
替代型号MMBFJ175LT1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MMBFJ175LT1

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： SOT-23 P-Channel -25V -60mA

当前型号

MMBFJ175LT1 P沟道结型场效应管 25 V －7.0~－60.0mA SOT-23 marking/标记 6W

当前型号

型号： MMBFJ175

品牌： 安森美

封装： SOT-23 225mW

完全替代

MMBFJ175 编带

MMBFJ175LT1和MMBFJ175的区别

型号： MMBFJ175LT1G

品牌： 安森美

封装： SOT-23 P-Channel -25V -60mA 225mW

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