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MMBF5484LT1

MMBF5484LT1

数据手册.pdf

MMBF5484LT1 N沟道结型场效应管 25v 1~5mA SOT-23 marking/标记 M6BH 电子开关

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 25v \---|--- 栅源极击穿电压VBRGSGate-Source Voltage| -25v 漏极电流Vgs=0VIDSSDrain Current| 1~5ma 关断电压VgsoffGate-Source Cut-off Voltage| -0.3~-3v 耗散功率PdPower Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| •N-Channel RF Amplifier This device is designed primarily for electronic switching applications such as low On Resistance analog switching. 描述与应用| •N沟道RF放大器这个装置主要用于电子开关设计 应用:如低导通电阻模拟开关。


得捷:
MOSFET SS N-CHAN 25V SOT23


MMBF5484LT1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 10.0 mA

极性 N-Channel

耗散功率 200 mW

输入电容 5.00 pF

漏源极电压Vds 25.0 V

栅源击穿电压 25.0 V

击穿电压 25 V

输入电容Ciss 5pF @15VVds

额定功率Max 225 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

MMBF5484LT1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
MMBF5484LT1 ON Semiconductor 安森美 MMBF5484LT1 N沟道结型场效应管 25v 1~5mA SOT-23 marking/标记 M6BH 电子开关 搜索库存
替代型号MMBF5484LT1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMBF5484LT1

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-23 N-Channel 25V 10mA 200mW

当前型号

MMBF5484LT1 N沟道结型场效应管 25v 1~5mA SOT-23 marking/标记 M6BH 电子开关

当前型号

型号: MMBF5484LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 N-Channel 25V 5mA 200mW

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